집적회로 설계 과제 무어 법칙 및 polysili...

태그: 집적회로설계, 반도체소자, 반도체 물리, 물성공학, 무어의 법칙, mobility, 집적회로 설계 과제, 무어 법칙, polysilicon, electrons mobility

Prob. 1) Please read the Moore’ paper “ramming more components onto integrated circuits”
Electronics, Vol. 38, No 8, April, 1965. [10pts]
(a) What are the things that Moore predicted correctly?

(b) What are the things that Moore predicted incorrectly?

Prob. 2) Why is polysilicon used instead of metal for the gate a MOSFET? What are the advantages or disadvantages of having polysilicon to having metal such as aluminum? [10pts]

Prob. 3) What is the amount of variation in the mobility of electrons and holes as temperature
increases from 0 °C ~ 100 °C? (i.e. μn(T=0)/μn(T=100) = ? μp(T=0)/μp(T=100) = ? Which do
you think is the worse case design condition: 0 °C or 100 °C? [10pts]

에 대한 답입니다.

10점 만점 과제입니다.

Prob. 1) Please read the Moore’ paper “ramming more components onto integrated circuits”
Electronics, Vol. 38, No 8, April, 1965. [10pts]
(a) What are the things that Moore predicted correctly?

(b) What are the things that Moore predicted incorrectly?

Prob. 2) Why is polysilicon used instead of metal for the gate a MOSFET? What are the advantages or disadvantages of having polysilicon to having metal such as aluminum? [10pts]

무어의 법칙은 컴퓨터 집적회로에 집적 할 수 있는 트랜지스터의 수가 대략 2년 마다 2배로 증가한다는 것으로 그 때 가격은 동일하다는 것인데, 컴퓨터 하드웨어 역사에서 가장 중요한 법칙으로 일컫어 진다. 이 법칙은 인텔의 창시자 Gordon E. Moore 에 의해 1965년 발표되었고, 50년 동안 깨지지 않는 법칙으로 남았다. 메모리 저장능력, LCD 화면 화소, 컴퓨터 처리 속도 등이 이 법칙에 들어 맞았다.
1965년에 무어는 Electronics Magazine 에 다음과 같은 내용을 발표하였다.
" 동일한 비용으로 집적회로의 집적도는 대략 2년 마다 2배로 늘어났다. 확실히 짧은 기간 동안이라도 이 법칙은 맞을 것이며, 만약 아니더라도 대략 10년 동안은 이 법칙이 확실이 들어맞을 것이다. 이 말은 1975년에는 동일한 비용으로 집적회로의 집적도는 65000 이다. "

<중 략>

Prob. 3) What is the amount of variation in the mobility of electrons and holes as temperature
increases from 0 °C ~ 100 °C? (i.e. μn(T=0)/μn(T=100) = ? μp(T=0)/μp(T=100) = ? Which do
you think is the worse case design condition: 0 °C or 100 °C? [10pts]

Basic Properties
Breakdown field ?3·105V/cm
Mobility electrons ≤1400 cm2 V-1s-1
Mobility holes ≤450 cm2 V-1s-1
Diffusion coefficient electrons ≤36 cm2/s
Diffusion coefficient holes ≤12 cm2/s
Electron thermal velocity 2.3·105m/s
Hole thermal velocity 1.65·105m/s

없음

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